CPH3355 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

CPH3355
RDS(on) -- VGS
600
Ta=25°C
500
ID= --0.5A
--1.0A
400
300
200
100
RDS(on) -- Ta
500
400
300
200
100
VVVGGGS=SS==--4----.410.V05.,V0IV,DI,=DID=--0=--.50--A.15.A0A
0
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT16218
| yfs | -- ID
10
7
VDS= --10V
5
3
2
1.0
Ta= ^--25°C 75^°C
7
5
25^°C
3
2
0.1
--0.01 ^{2 3 5 7} --0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10
Drain Current, ID -- A
IT16081
SW Time -- ID
100
7
VDD= --15V
VGS= --10V
5
3
td(off)
2
tf
10
7
tr
5
td(on)
3
2
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT16219
IS -- VSD
--10
7
VGS=0V
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
1000
7
5
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT16082
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
3
2
Ciss
100
7
Coss
5
3
Crss
2
1.0
--0.1
23
--10
VDS= --15V
--9 ID= --2.5A
5 7 _--1.0
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--8
5 7 _--10
IT16083
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT16220
10
0
--2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
--100
7
5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT16084
ASO
3
2 _{IDP= --10A (PW≤10μs)}
--10
7
5
3 ^{ID= --2.5A}
10ms
100_μs
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
Operation in
is limited by
RthDisSDa(Croenoap)e.rati1o0n0(mTas=25^{°1Cm) s}
5
3
Ta=25°C
2 ^{Single pulse}
--0.01 ^{When mounted on ceramic substrate (900mm2×0.8mm)}
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7--100}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT16221
No. A1905-3/4