CPH3331 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

CPH3331
yfs -- ID
5
VDS= --10V
3
2
1.0
7
5
Ta=
--25^°C
75^°C
3
25^°C
2
0.1
7
5
--0.01
1000
7
5
3
2
100
7
5
23
5 7 _--0.1
23
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
5 7 _--1.0
IT08714
VDD= --100V
VGS= --10V
tf
td(off)
3
2
10
td(on)
7
5
tr
3
2
1.0
0
23
--10
VDS= --100V
ID= --400mA
5 7 _--0.1
23
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
5 7 _--10
IT08716
--8
--6
--4
--2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT08718
PD -- Ta
1.2
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
--0.3
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS=0
--0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08715
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
100
7
5
3
2
Coss
Crss
10
7
5
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08717
ASO
3
2 ^{IDP= --1.6A}
<10µs
--1.0
7
5
ID= --0.4A
1ms ¹⁰⁰_µs
3
2
100ms
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
Operation in this
area is limited by RDS(on).
3
Ta=25°C
2 Single pulse
--0.001
Mounted on a ceramic board (900mm²!0.8mm)
--0.01 ^{2 3 5 7--0.1 2 3 5 7--1.0 2 3 5 7--10 2 3 5 7--100 2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08719
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Mounted _{on a ceramic board (900mm 2!0.8mm)}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT08720
No.8160-3/4