ATP114 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ATP114
RDS(on) -- VGS
35
Tc=25°C
Single pulse
30
ID= --7A
25
--14A
--28A
20
15
10
5
0
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
--2
--4
--6
--8 --10 --12 --14 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| yfs | -- ID
IT15704
VDS= --10V
Single pulse
25^°C
Tc=
--25^°C
75^°C
1.0
7
--0.1
1000
7
5
3
2
2 3 5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
tf
2 3 57
IT15706
100
7
tr
5
3
td(on)
2
10
7
--0.1 ^{2 3 5 7--1.0 2 3 5 7} --10 ²
--10
VDS= --30V
--9 ID= --55A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
VDD= --30V
VGS= --10V
3 5 7--100 2
IT15708
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15710
RDS(on) -- Tc
35
Single pulse
30
25
20
15
10
VVGVSG=GS=-S-4=--.04--.V15,V0I.,0DIV=D,=-I-7D--A=14-A-28A
5
0
--60
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
10000
7
--40 --20
0 20 40 60 80 100 120 140 160
Case Temperature, Tc -- °C
IS -- VSD
IT15705
VGS=0V
Single pulse
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT15707
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
5
Ciss
3
2
1000
7
5
3
2
Coss
Crss
100
0
5
--10
--20
--30
--40
--50
--60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT15709
ASO
3
2
IDP= --165A (PW≤10μs)
--100
7
ID= --55A
5
3
2
--10
7
5
Operation in
3
this area is
2
limited by RDS(on).
1001m0sm1sms
100_μs10^μs
--1.0
7
5
3
2 Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
5 7--100
IT15512
No. A1711-3/4