3LP04SS Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

3LP04SS
RDS(on) -- VGS
10
Ta=25°C
9
8
7
6
--10mA
5
ID= --100mA
--50mA
4
3
2
1
0
0
1000
7
5
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
⏐yfs⏐ -- ID
IT11700
VDS= --10V
3
2
Ta= ^--25°C ₇₅^°C
100
7
5
25^°C
3
2
10
--1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7} --100 ^{2 3 5 7--1000}
Drain Current, ID -- mA
IT11702
SW Time -- ID
2
VDS= --15V
VGS= --4V
1000
7
td(off)
5
tf
3
2
tr
100
td(on)
7
5
--10
23
5 7 _--100
23
57
Drain Current, ID -- mA
IT11704
--4.0
VDS= --10V
VGS -- Qg
--3.5 ^{ID= --200mA}
RDS(on) -- Ta
7
6
5
VGS= ^{--1.5V, ID= --10mA}
4
3
VGS= ^{--2.5V, ID= --50mA}
2
VGS= ^{--4.0V, ID= --100mA}
1
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11701
--1000
7
5
IS -- VSD
VGS=0V
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
0
100
7
5
3
2
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT11703
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
10
7
5
3
2
1.0
0
0.16
0.15
0.14
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11705
PD -- Ta
When mounted on glass epoxy substrate
(145mm✕80mm✕1.6mm)
--3.0
0.12
--2.5
0.10
--2.0
0.08
--1.5
0.06
--1.0
0.04
--0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT11706
0.02
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT13695
No. A1214-3/4