3LP04CH Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

3LP04CH
⏐yfs⏐ -- ID
1000
7
VDS= --10V
5
3
2
Ta= ^--25°C ₇₅^°C
100
7
5
25^°C
3
2
10
--1.0
2
1000
7
5
3
23
5 7 _--10 2 3 5 7 _--100
Drain Current, ID -- mA
SW Time -- ID
2 3 5 7--1000
IT11702
VDS= --15V
VGS= --4V
td(off)
tf
2
tr
100
td(on)
7
5
--10
23
5 7 _--100
23
Drain Current, ID -- mA
--4.0
VDS= --10V
VGS -- Qg
--3.5 ^{ID= --200mA}
57
IT11704
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
0.8
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT11706
When mounted on ceramic substrate
(900mm²âœ•0.8mm)
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
0
100
7
5
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT11703
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
10
7
Coss
5
3
2
Crss
1.0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11705
ASO
2
--1.0 ^{IDP= --800mA}
100μs PW≤10μs
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ID=
--200mA
Operation in this
area is limited by
RDS(DoCn)o.peration1(0T0am=2s51°^01Cmm)ss
--0.01
7
5
3 Ta=25°C
2 Single pulse
--0.001 ^{When mounted on ceramic substrate (900mm2✕0.8mm)}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT13693
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT13694
No. A1212-3/4