3LP02M Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET (Ultrahigh-Speed Switching Applications)

3LP02M
10
RDS(on) -- ID
100
RDS(on) -- ID
VGS=--2.5V
7
VGS=--1.5V
7
5
5
Ta=75°C
3
25°C
--25°C
2
3
2
Ta=75°C
10
7
25°C ^--25°C
5
3
2
1.0
--0.01
7
23
5 7 _--0.1
23
Drain Current, ID – A
RDS(on) -- Ta
5 7 _--1.0
IT00241
6
5
4
3
IDI=D-=-5--01m0A0m, ^VAG, _{VS=G--S2=.5--V4.0V}
2
1
1.0
--0.001
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
23
5 7 _--0.01
23
Drain Current, ID – A
yfs -- ID
5 7 _--0.1
IT00242
VDS=--10V
Ta=--25^°C
75^°C
25^°C
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta – ˚C
IT00243
--1.0
IF -- VSD
7
VGS=0
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.01
--0.01
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
23
5 7 _--0.1
23
Drain Current, ID – A
SW Time -- ID
5 7 _--1.0
IT00244
VDD=--15V
VGS=--4V
td(off)
tf
tr
td(on)
--0.01
--0.4
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
0
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
Diode Forward Voltage, VSD – V _IT00245
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS – V _IT00247
10
--0.01
2
--10
VDS=--10V
--9 _ID=--200mA
--8
3
5 7 --0.1
Drain Current, ID – A
VGS -- Qg
2
3
IT00246
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Total Gate Charge, Qg – nC
IT00248
No.6127-3/4