3HP04MH Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

3HP04MH
7
VDS= --10V
5
3
2
100
7
5
3
2
yfs -- ID
Ta=
--25^°C
75^°C
25^°C
10
--0.001 ^{2 3}
1000
7
5
5 7--0.01 2 3 5 7 _--0.1
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
2 3 5 7 _--1.0
IT11213
VDD= --15V
VGS= --10V
3
tf
2
100
7
tr
5
td(on)
3
2
--0.01
23
5 7 _--0.1
23
57
--10
VDS= --10V
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT11215
--9 ID= --200mA
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT11217
PD -- Ta
0.7
--1.0
7
5
VGS=0V
3
2
IS -- VSD
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
7
5
3
2
--0.0001
--0.2
5
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT11214
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
3
Ciss
2
10
7
Coss
5
Crss
3
2
1.0
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11216
ASO
2
--1.0 ^{IDP= --800mA}
≤10µs
7
5
3
2
--0.1
7
5
ID=
--200mA
Operation in this
area is limited by
DC
RDS(on).
operation1(0T0am=2s150_°^mC1s)ms
3
2 ^Ta=25°C
Single pulse
--0.01 ^{Mounted on a ceramic board (900mm2!0.8mm)}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11218
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Mounted _{on a ceramic board (900mm 2!0.8mm)}
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11219
No. A0455-3/4