2SJ665 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

--60
Tc=25°C
--50
--40
--30
ID -- VDS
--10V
--6V
2SJ665
--4V
--60
VDS= --10V
--50
--40
--30
ID -- VGS
--20
--10
VGS= --3V
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08790
RDS(on) -- VGS
140
ID= --14A
120
100
Tc=75°C
80
25°C
60
--25°C
40
20
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
yfs -- ID
100
VDS= --10V
7
5
--9 --10
IT08792
3
2
25^°C
10
7
Tc=
--25^°C
75^°C
5
3
2
1.0
7
--0.1
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
23
5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2 3 57
IT08794
td(off)
VDD= --50V
VGS= --10V
tf
tr
td(on)
10
--0.1
23
5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
2 3 57
IT08796
--20
--10
0
0
140
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT08791
RDS(on) -- Tc
120
100
80
60
I DI=D-=-1-4-1A4,AV, ^{GVSG=S-=-4-V-10V}
40
20
0
--50
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
0
10000
7
5
--25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IS -- VSD
IT08793
VGS=0V
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT08795
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
3
2
1000
7
5
3
2
100
0
Coss
Crss
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT08797
No.8590-3/4