2SJ657 Datasheet, PDF (3/4 Pages) Sanyo Semicon Device – General-Purpose Switching Device

2SJ657
RDS(on) -- VGS
120
ID= --13A
100
80
60
Tc=75_°C
40
25°C
--25°C
20
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT06589
yfs -- ID
100
VDS= --10V
7
5
3
2
25^°C
10
7
Tc=
--25^°C
75^°C
5
3
2
1.0
--0.1
1000
7
5
2 3 5 7 _--1.0 2 3 5 7 _--10 2 3 5 7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT06591
td(off)
VDD= --50V
VGS= --10V
3
2
tf
100
tr
7
5
td(on)
3
2
RDS(on) -- Tc
90
80
70
60
50
40
IDI=D-=-1-3-1A3,AV, ^{GVSG=S-=-4-V-10V}
30
20
10
0
--50
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.001
0
10000
7
5
--25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc -- °C
IT06590
IF -- VSD
VGS=0
--0.3
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
Diode Forward Voltage, VSD -- V IT06592
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
f=1MHz
3
2
1000
7
5
3
2
Coss
Crss
10
--0.1 ^{2 3 5}
--10
VDS= --50V
--9 _{ID= --25A}
7 _--1.0 2 3 5 7 _--10
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
--8
2 3 57
IT06593
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT06595
100
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06594
ASO
3
2
IDP= --100A
--100
7
5
3 ^{ID= --25A}
2
--10
7
5
<10µs
1001m0ms1sms100^µ1s0µs
3
2 _{Operation in this area}
--1.0 is limited by RDS(on).
7
5
DC _operation
3
2
Tc=25°C
--0.1 ^{Single pulse}
--0.1 ^{2 3 5 7} --1.0 ^{2 3 5 7} --10 ^{2 3 5 7--100 2}
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT06596
No.7685-3/4