LB11972V Datasheet, PDF (2/7 Pages) Sanyo Semicon Device – LB11972V

LB11972V
電気的特性/ Ta=25℃,VCC=12V
項目
記号
条件
電源電流
出力飽和電圧1
出力飽和電圧2
ICC
VOSAT1
VOSAT2
IO=0.4A,Source＋Sink
IO=0.8A,Source＋Sink,RF=0Ω
MCOM端子同相入力電圧範囲 VIC
PCOUT出力電流1
IPCOU
ソース側
PCOUT出力電流2
IPCOD
シンク側
VCOIN入力電流
IVCOIN
VCOIN=5V
VCO最低周波数
FVCOMIN
VCOIN=オープン
VCO最高周波数
FVCOMAX
VCOIN=5V
C1,C2ソース電流比
RSOURCE
1-(IC1SOURCE/IC2SOURCE)
C1,C2シンク電流比
RSINK
1-(IC1SINK/IC2SINK)
C1ソース,シンク電流比
RC1
IC1SOURCE/IC1SINK
C2ソース,シンク電流比
RC2
IC2SOURCE/IC2SINK
逆起FG 出力ON電圧
VOL
IFGO=1mA
サーマルシャットダウン
動作温度
サーマルシャットダウン
ヒステリシス
TTSD
∆TTSD
設計目標値※
設計目標値※
電流リミッタ動作電圧
VRFILM
RL=1kΩ,RF=100Ω
※設計目標値であり、測定は行わない。
min
0
－12
－12
150
typ max
20
30
1.4 2.0
1.8 2.6
VCC-2
－90
90
0.1 0.2
400
18.5
＋12
＋12
50
50
0.4
180 210
unit
mA
V
V
V
µA
µA
µA
Hz
kHz
%
%
%
%
V
℃
15
℃
0.38 0.44 0.50 V
外形図
unit:mm
3315
9.75
24
13
1
12
0.15
0.8
0.3
(0.48)
SANYO : SSOP24J(275mil)
No.8797-2/7