CPH6355 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – General-Purpose Switching Device Applications

Electrical Characteristics at Ta=25°C
CPH6355
Parameter
Symbol
Conditions
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--30V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--1.5A
ID=--1.5A, VGS=--10V
ID=--0.5A, VGS=--4.5V
ID=--0.5A, VGS=--4V
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
VDS=--15V, VGS=--10V, ID=--3A
IS=--3A, VGS=0V
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --1.5A
RL=15Ω
D
VOUT
CPH6355
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
--30
V
--1
μA
±10
μA
--1.2
--2.6
V
2.3
S
130
169 mΩ
197
276 mΩ
223
313 mΩ
172
pF
51
pF
36
pF
4.6
ns
6.6
ns
19.4
ns
11.4
ns
3.9
nC
0.6
nC
0.8
nC
--0.95
--1.5
V
--3.0
Ta=25°C
--2.5
ID -- VDS
--4.0V
--2.0
--1.5
--1.0
VGS= ^--3.0V
--0.5
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT16553
--3.0 _{VDS= --10V}
--2.5
ID -- VGS
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT16554
No.8933-2/4