CPH6316 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Speed Switching Applications

CPH6316
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--3A
IS=--3A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VDD= --15V
ID= --1A
VIN
RL=15Ω
PW=10µs
D.C.≤1%
D
VOUT
G
CPH6316
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
200
pF
47
pF
32
pF
7.2
ns
2.9
ns
21
ns
8.7
ns
5.5
nC
0.98
nC
0.82
nC
--0.86
--1.2
V
ID -- VDS
--2.0
--1.6
--3.5V
--1.2
--0.8
VGS= --3.0V
--0.4
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03223
RDS(on) -- VGS
400
Ta=25°C
350
300
250
--1.0A
200
ID= --0.5A
150
100
50
0
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03225
--5.0
VDS=10V
--4.5
ID -- VGS
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
400
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT03224
350
300
250
ID= ^{--0.5A, VGS= --4V}
200
150
ID= ^{--1.0A, VGS= --10V}
100
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03226
No.7026-2/4