CPH6315 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Speed Switching Applications

CPH6315
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--2A
IS=--2A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4V
VDD= --10V
ID= --1A
VIN
RL=10Ω
PW=10µs
D.C.≤1%
D
VOUT
G
CPH6315
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
410
pF
60
pF
40
pF
9
ns
27
ns
42
ns
38
ns
4.5
nC
0.6
nC
1.2
nC
--0.88
--1.2
V
ID -- VDS
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
VGS= --1.0V
--0.4
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT02753
RDS(on) -- VGS
400
Ta=25°C
350
300
ID= --1.0A
250
--0.5A
200
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02755
--4.0
VDS= --10V
--3.5
ID -- VGS
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT02754
RDS(on) -- Ta
400
350
300
250
200
150
ID=
ID=
----01..50AA,, ^VVGGSS==
--2.5V
--4.0V
100
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT02756
No.7018-2/4