CPH6313 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Speed Switching Applications

CPH6313
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--4A
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--4A
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--4A
IS=--4A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4.5V
VDD= --10V
ID= --2A
VIN
RL=5Ω
PW=10µs
D.C.≤1%
D
VOUT
G
CPH6313
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
680
pF
115
pF
80
pF
12
ns
57
ns
68
ns
58
ns
8.7
nC
1.5
nC
1.8
nC
--0.85
--1.2
V
--4.0
ID -- VDS
--3.5
--3.0
--2.5
--1.5V
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
160
140
VGS= --1.0V
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03130
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
120
100
--2.0A
ID= --1.0A
80
60
40
20
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03132
--7
ID -- VGS
VDS= --10V
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03131
RDS(on) -- Ta
140
120
100
80
60
IDI=D=--1--A2,AV, _{VGSG=S-=-2-.-54V.5V}
40
20
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03133
No.7017-2/4