CPH6123 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Current Switching Applications

CPH6123 / CPH6223
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)100µA, RBE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
OUTPUT
RL
50Ω
+
100µF
VBE= --5V
+
470µF
VCC=25V
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--115)90 (--230)130 mV
(--240)160 (--650)240 mV
(--)0.88 (--)1.2
V
(--50)100
V
(--50)100
V
(--)50
V
(--)6
V
(30)35
ns
(230)300
ns
(18)25
ns
--2.0
CPH6123
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
IC -- VCE
--40mA ^--30mA
--20mA
--1-0-8mmAA
--6mA
--1.0
--4mA
--0.8
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
--3.0
--2.5
IB=0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04564
IC -- VBE
CPH6123
VCE= --2V
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT04566
5.0
CPH6223
4.5
4.0
3.5
IC -- VCE
100mA
80mA
60mA
40mA
3.0
20mA
2.5
10mA
2.0
1.5
5mA
1.0
0.5
0
IB=0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04565
IC -- VBE
3.0
CPH6223
VCE=2V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT04567
No.7386-2/5