CPH5522 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

CPH5522
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwideth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)12V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)2V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
VCE(sat)
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
IC=(--)10µA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
min
typ
200
(--)15
(--)15
(--)5
(350)450
(17)9
(--100)
120
(--180)
215
(--)0.85
(50)40
(90)180
(15)20
max
(--)0.1
(--)0.1
560
(--160)
190
(--290)
340
(--)1.2
Unit
µA
µA
MHz
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7017A-009
2.9
0.15
5 43
0.05
1
0.95
2
0.4
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
Electlical Connection
5
4
3
1
2
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
Top view
SANYO : CPH5
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
IB1
DC≤1%
IB2
INPUT
RB
VR
50Ω
+
220µF
+
470µF
OUTPUT
RL
VBE= --5V
VCC=5V
20IB1= --20IB2=IC=750mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
No. A0326-2/5