CPH5520 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Current Switching Applications

CPH5520
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwideth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)10µA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
min
200
(--50)80
(--50)80
(--)6
Ratings
typ
420
(16)8
(--165)130
(--)0.9
(35)35
(200)330
(24)40
max
(--)1
(--)1
560
(--330)260
(--)1.2
Unit
µA
µA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7017A-009
2.9
5 43
1
0.95
2
0.4
0.15
0.05
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
SANYO : CPH5
Electrical Connection
5
4
3
1
2
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
Top view
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
OUTPUT
RL
50Ω
+
+
100µF
470µF
VBE= --5V
VCC=25V
IC=10IB1= --10IB2=0.7A
For PNP, the polarity is reversed.
No. A0485-2/5