CPH5518 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

CPH5518
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwideth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)300A, IB=(--)6mA
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)10µA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
min
typ
200
(--50)80
(--)50
(--)5
420
(9)6
(--230)
130
(--125)
90
(--)0.81
(36)38
(173)332
(28)40
max
(--)0.1
(--)0.1
560
(--380)
190
(--200)
135
(--)1.2
Unit
µA
µA
MHz
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7017A-009
2.9
0.15
5 43
0.05
Electlical Connection
5
4
3
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
1
0.95
2
0.4
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
1
2
Top view
SANYO : CPH5
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
D.C.≤1%
INPUT
VR
50Ω
IB1
IB2
RB
+
100µF
+
470µF
OUTPUT
RL=24Ω
VBE= --5V
VCC=25V
IC=20IB1= --20IB2=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
No. A0492-2/5