CPH5517 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

CPH5517
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)300mA, IB=(--)6mA
IC=(--)500mA, IB=(--)10mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--280) (--430) mV
130
190 mV
(--145) (--220) mV
90
135 mV
(--)0.81 (--)1.2
V
(--50)60
V
(--)50
V
(--)5
V
(36)38
ns
(173)332
ns
(28)40
ns
Package Dimensions
unit : mm
2242
0.4
0.15
5 43
0.05
1
2
0.95
2.9
1 : Collector1
2 : Collector2
3 : Emitter2
4 : Base Common
5 : Emitter1
SANYO : CPH5
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
IB1
DC≤1%
IB2
INPUT
RB
VR
50Ω
+
100µF
+
470µF
OUTPUT
24Ω
VBE= --5V
VCC=25V
20IB1= --20IB2= IC=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
Electrical Connection
543
1
2
1 : Collector1
2 : Collector2
3 : Emitter2
4 : Base Common
5 : Emitter1
Top view
--1000
--800
--600
--400
IC -- VCE
--40mA ^--30mA
[PNP]
--20mA
--10mA _--8mA
--6mA
--4mA
--2mA
--200
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
IB=0
--1.0
IT01643
1000
40mA
800
600
400
IC -- VCE
30mA
10mA
8mA
6mA
4mA
[NPN]
2mA
200
0
IB=0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT01644
No.8205-2/5