CPH5516 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Current Switching Applications

CPH5516
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--) 1.5A, IB=(--) 75mA
IC=(--) 1.5A, IB=(--) 75mA
IC=(--) 10µA, IE=0A
IC=(--) 1mA, RBE=∞
IE=(--) 10µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--170) 160 (--260) 240 mV
(--) 0.94 (--) 1.2
V
(--30) 40
V
(--) 30
V
(--) 5
V
(45) 40
ns
(200) 350
ns
(23) 30
ns
Package Dimensions
unit : mm
7017-009
0.4
0.15
5 43
0.05
1
2
0.95
2.9
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
SANYO : CPH5
Electrical Connection
5
4
3
1
2
1 : Collector (NPN TR)
2 : Collector (PNP TR)
3 : Base (PNP TR)
4 : Emitter Common
5 : Base (NPN TR)
Top view
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
OUTPUT
RL=24Ω
50Ω
+
+
100µF
470µF
VBE= --5V
VCC=12V
IC=20IB1= --20IB2=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
[PNP]
--2.0
--1.8
--40mA--30mA
--20mA
--15mA
--1.6
--10mA
--1.4
--8mA
--1.2
--6mA
--1.0
--0.8
--4mA
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
IB=0mA
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT08907
IC -- VCE
[NPN]
2.0
1.8
1.6
15m2A0mA
10mA
8mA
6mA
1.4
1.2
4mA
1.0
0.8
2mA
0.6
0.4
0.2
0
IB=0mA
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT08908
No. A0196-2/5