CPH5506 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – DC / DC Converter Applications

CPH5506
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Marking : EF
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=(--)30V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)300mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
Rathings
min
typ
max
(--)0.1
(--)0.1
200
560
(450)500
(9)8
(--250)150 (--375)225
(--)0.85
(--)1.2
(--30)40
(--)30
(--)5
35
(115)205
30
Unit
µA
µA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
Electrical Connection
B1 EC B2
INPUT
VR
50Ω
RB
+
RL
16Ω
+
100µF
470µF
20IB1= --20IB2=IC=750mA
C1
C2
VBE= --5V
VCC=12V For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
[PNP]
--2.0
--1.8
--50mA
--40mA
--1.6
--30mA
--1.4
--20mA
--1.2
--1.0
--8mA _--10mA
--0.8
--6mA
--4mA
--0.6
--0.4
--2mA
--0.2
0
0
--1.6
--1.4
IB=0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT01673
IC -- VBE
[PNP]
VCE= --2V
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT01675
IC -- VCE
2.0
1.8
40mA
30mA
1.6
[NPN]
20mA
1.4
8mA 10mA
1.2
6mA
1.0
4mA
0.8
0.6
2mA
0.4
0.2
0
IB=0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT01674
IC -- VBE
[NPN]
1.6
VCE=2V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT01676
No.6590-2/5