CPH3348 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-004
2.9
3
1
0.95
2
0.4
CPH3348
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--6V, f=1MHz
VDS=--6V, f=1MHz
VDS=--6V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3A
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3A
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--3A
IS=--3A, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
405
pF
145
pF
100
pF
8.8
ns
80
ns
41
ns
50
ns
5.6
nC
0.7
nC
1.6
nC
--0.85
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
VIN
VDD= --6V
0V
--4.5V
0.15
ID= --1.5A
VIN
RL=4Ω
D
VOUT
PW=10µs
0.05
D.C.≤1%
G
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
CPH3348
P.G
50Ω
S
ID -- VDS
--3
ID -- VGS
--4
VDS= --6V
--3
--2
VGS= ^--1.5V
--2
--1
--1
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT12598
RDS(on) -- VGS
300
Ta=25°C
250
--0.8A
200
--1.5A
150 _{ID= --0.3A}
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT12600
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT12599
RDS(on) -- Ta
200
150
VGS= ^{--1.8V, ID= --0.3A}
100
VGS=
VGS=
--2.5V,
--4.5V,
ID= ^--0.8A
ID= ^--1.5A
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT12601
No. A0922-2/4