CPH3345 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

CPH3345
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Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--2A
IS=--2A, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
7.7
nC
1.15
nC
1.4
nC
--0.85
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7015-004
0.4
0.15
3
0.05
1
2
1.9
2.9
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --1A
RL=15Ω
D
VOUT
CPH3345
P.G
50Ω
S
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
400
350
ID -- VDS
--3.0V
VGS= --2.5V
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT10674
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
300
--1A
250
ID= --0.5A
200
150
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8 --10 --12 --14 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10676
--4
VDS= --10V
ID -- VGS
--3
--2
--1
0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT10675
RDS(on) -- Ta
350
300
250
200
150
100
I DI=IDD-=-=0-.--5-01A.5.,0AVA,G,VVSG=GS-S=-4=-.-0-4-V1.50V.0V
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT10678
No. A0313-2/4