CPH3327 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

CPH3327
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Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--0.6A
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--0.6A
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--0.6A
IS=--0.6A, VGS=0
Ratings
Unit
min
typ
max
7.0
nC
1.0
nC
1.0
nC
--0.85
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
2152A
2.9
0.4
3
0.15
0.05
1
2
1.9
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --50V
ID= --300mA
RL=166Ω
D
VOUT
CPH3327
P.G
50Ω
S
SANYO : CPH3
ID -- VDS
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
VGS= --2.5V
--0.2
--0.1
0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT07478
RDS(on) -- VGS
3.0
Ta=25°C
ID= --0.3A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
--2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT07480
--1.0
VDS= --10V
--0.9
ID -- VGS
--0.8
--0.7
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
0
0
3.0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT07479
2.5
2.0
1.5
1.0
I _{IDD==---0-.03.A3A,} ^V, _{VGGS=S=--4--V10V}
0.5
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT07481
No.7914-2/4