CPH3308 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – Ultrahigh-Speed Switching Applications

CPH3308
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--4A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--4A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--4A
IS=--4A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
VDD= --15V
--10V
ID= --2A
VIN
RL=7.5Ω
PW=10µs
D.C.≤1%
D
VOUT
G
CPH3308
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min
typ
max
560
pF
150
pF
90
pF
17
ns
60
ns
66
ns
56
ns
12
nC
1.5
nC
2
nC
--0.8
--1.5
V
ID -- VDS
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VGS= --2.5V
--1.0
--0.5
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT03708
RDS(on) -- VGS
200
Ta=25°C
180
160
140
120
--2A
100 _{ID= --1A}
80
60
40
20
0
0 --2 --4 --6 --8 --10 --12 --14 --16 --18 --20
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT03710
--6.0
VDS= --10V
--5.5
ID -- VGS
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
200
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT03709
150
100
I _DII ^{DD===----2--11AAA, ,,VVVGGGSSS===------1440..05.0VVV}
50
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT03711
No.7075-2/4