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CPH3221 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
CPH3121 / CPH3221
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--110)115 (--165)175 mV
(--)0.85 (--)1.2
V
(--)15
V
(--12)15
V
(--)5
V
(30)30
ns
(90)210
ns
(14)11
ns
Package Dimensions
unit : mm
2150A
2.9
0.4
3
0.15
0.05
1
2
1.9
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR RB=1kΩ
RL
50Ω
+
220µF
VBE= --5V
+
470µF
VCC=5V
IC=20IB1= --20IB2=1.5A
For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
--200
--180
--0.7mA
--0.6mA
--160 --0.8mA
--140
--120
--100
--0.5mA
--0.4mA
--0.3mA
--80
--0.2mA
--60
--40
--0.1mA
--20
0 CPH3121
IB=0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
--2.0
CPH3121
--1.8
IC -- VCE
--12mA
--10mA
IT04582
--1.6
--8mA
--1.4
--6mA
--1.2
--1.0
--4mA
--0.8
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
IB=0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04584
IC -- VCE
5.0
4.5
25mA
CPH3221
20mA
4.0
15mA
3.5
3.0
10mA
2.5
2.0
1.5
5mA
1.0
2mA
0.5
1mA
0
IB=0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04583
IC -- VCE
5.0
4.5
40mA
CPH3221
25mA
4.0
20mA
3.5
15mA
3.0
2.5
10mA
2.0
1.5
5mA
1.0
IB=0
2mA
0.5
1mA
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04585
No.7219-2/5