CPH3152 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications

CPH3152
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=--80V, IE=0A
VEB=--4V, IC=0A
VCE=--5V, IC=--100mA
VCE=--10V, IC=--100mA
VCB=--10V, f=1MHz
IC=--0.75A, IB=--75mA
IC=--0.5A, IB=--50mA
IC=--0.75A, IB=--75mA
IC=--10μA, IE=0A
IC=--100μA, RBE=0Ω
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
min
typ
200
--150
--150
--150
--7
70
20
--140
--100
--0.85
55
840
40
max
--1
--1
560
--280
--200
--1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-003
2.9
3
1
0.95
2
0.4
0.15
0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
50Ω
+
220μF
VBE=5V
IC= --10IB1=10IB2= --0.7A
OUTPUT
RL
+
470μF
VCC= --75V
IC -- VCE
--1.5
--1.2
--60mA--70m--8A0mA--90mA ^--100mA
--50mA
--0.9
--40mA
--30mA
--20mA
--0.6
--10mA
--5mA
--0.3
0
IB=0mA
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT12761
IC -- VCE
--1.5
--70mA
--40mA ^--30mA
--1.2
--20mA
--10mA
--0.9
--60mA ^--50mA
--6mA
--4mA
--0.6
--2mA
--0.3
0
IB=0mA
0
--1
--2
--3
--4
--5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT12762
No. A0884-2/4