CPH3147 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

CPH3147
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--1A, IB=--100mA
IC=--10µA, IE=0A
IC=--100µA, RBE=0Ω
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10µA, IC=0A
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
--85
--170 mV
--0.85
--1.2
V
--80
V
--80
V
--80
V
--7
V
40
ns
500
ns
28
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-003
2.9
3
1
0.95
2
0.4
0.15
0.05
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
D.C.≤1%
INPUT
VR
50Ω
IB1
IB2
1kΩ
+
220µF
OUTPUT
RL
+
470µF
VBE=5V
VCC= --40V
IC= --10IB1=10IB2=IC= --0.5A
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
0
0
IC -- VCE
--100mA
--80mA
--60mA
--40mA
--120mA
--140mA
--20mA
--5mA
IB=0mA
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT11583
IC -- VBE
--2.5
VCE= --5V
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT11584
No. A0539-2/4