CPH3144 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

CPH3144 / CPH3244
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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--170)160 (--260)240 mV
(--)0.94
(--)1.2
V
(--30)40
V
(--)30
V
(--)5
V
(45)40
ns
(200)350
ns
(23)30
ns
Package Dimensions
unit : mm
2150A
2.9
0.4
3
0.15
0.05
1
2
1.9
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
OUTPUT
RL=24Ω
50Ω
+
100µF
VBE= --5V
+
470µF
VCC=12V
IC=20IB1= --20IB2=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
--2.0
CPH3144
--1.8
IC -- VCE
--40mA--30mA
--20mA
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--15mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
IB=0
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT08907
IC -- VBE
--2.00
CPH3144
--1.75 ^{VCE= --2V}
--1.50
--1.25
--1.00
--0.75
--0.50
--0.25
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT08909
IC -- VCE
2.0
1.8
1.6
15m2A0mA
10mA
8mA
6mA
1.4
1.2
4mA
1.0
0.8
2mA
0.6
0.4
0.2
0 ^CPH3244
IB=0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT08908
IC -- VBE
2.00
CPH3244
1.75 ^VCE=2V
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT08910
No.8165-2/4