CPH3122 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
CPH3122 / CPH3222
Symbol
Conditions
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--180)130 (--270)195 mV
(--)120 (--)180 mV
(--)0.83 (--)1.2
V
(--30)40
V
(--)30
V
(--)5
V
(50)30
ns
(270)300
ns
(27)25
ns
Package Dimensions
unit : mm
2150A
2.9
0.4
3
0.15
0.05
1
2
1.9
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SANYO : CPH3
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
50Ω
+
100µF
VBE= --5V
IC=20IB1= --20IB2=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
OUTPUT
RL
=24Ω
+
470µF
VCC=12V
--2.0
CPH3122
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
IC -- VCE
--20mA
--10mA
--8mA
--6mA
--4mA
--0.8
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
--3.0
--2.5
IB=0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04603
IC -- VBE
CPH3122
VCE= --2V
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT04605
IC -- VCE
2.0
1.8
10mA
8mA
6mA
1.6
1.4
1.2
4mA
1.0
0.8
2mA
0.6
0.4
0.2
0 ^CPH3222
IB=0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04604
IC -- VBE
3.0
CPH3222
VCE=2V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT04606
No.7220-2/5