CPH3114_11 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

CPH3114 / CPH3214
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Parameter
Gain-Bandwideth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
fT
VCE=(--)2V, IC=(--)300mA
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
VCE(sat)
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
IC=(--)1.5mA, IB=(--)30mA
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
IC=(--)750mA, IB=(--)15mA
IC=(--)10μA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0
See specified test circuit.
tstg
See specified test circuit.
tf
See specified test circuit.
min
(--)15
(--)15
(--)5
Ratings
typ
(350)
450
(17)9
(--120)
130
(--210)
240
(--)0.85
(50)40
(90)
180
(15)20
max
(--180)
200
(--320)
360
(--)1.2
Unit
MHz
MHz
pF
mV
mV
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
Package Dimensions
unit : mm
2150A
2.9
0.4
3
0.15
0.05
1
2
1.9
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
DC≤1%
INPUT
IB1
IB2 (For PNP, the polarity is reversed.)
OUTPUT
RB
VR
50Ω
+
RL
+
220μF 470μF
VBE= --5V
VCC=5V
20IB1= --20IB2= IC=750mA
SANYO : CPH3
--2.0
CPH3114
--1.8
IC -- VCE
--20mA
--1.6
--1.4
--10mA
--1.2
--8mA
--1.0
--6mA
--0.8
--4mA
--0.6
--0.4
--2mA
--0.2
0
0
IB=0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT01691
2.0
CPH3214
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
IC -- VCE
20mA
10mA
8mA
6mA
4mA
0.8
0.6
2mA
0.4
0.2
0
IB=0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT01692
No.6394-2/5