3LP04S Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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Parameter
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7027-004
1.6
0.4
0.8
0.4
1
2
3
3LP04S
Symbol
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
IS=--200mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
75
ns
170
ns
550
ns
350
ns
0.58
nC
0.17
nC
0.12
nC
--0.89
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --100mA
RL=150Ω
D
VOUT
Rg
0.1 MIN
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : SMCP
3LP04S
P.G
50Ω
S
Rg=5kΩ
ID -- VDS
--200
--180
--2.0V
--160
--140
--120
--100
--80
VGS= ^--1.5V
--60
--40
--20
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11698
RDS(on) -- VGS
10
Ta=25°C
9
8
7
6
--10mA
5
ID= --100mA
--50mA
4
3
2
1
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11700
ID -- VGS
--300
VDS= --10V
--250
--200
--150
--100
--50
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11699
RDS(on) -- Ta
7
6
5
VGS= ^{--1.5V, ID= --10mA}
4
3
VGS= ^{--2.5V, ID= --50mA}
2
VGS= ^{--4.0V, ID= --100mA}
1
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11701
No. A1213-2/4