3LP04MH Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

3LP04MH
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Parameter
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--200mA
IS=--200mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
0.58
nC
0.17
nC
0.12
nC
--0.89
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7019A-003
2.0
0.15
3
0 to 0.02
1
2
0.65
0.3
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --100mA
RL=150Ω
D
VOUT
Rg
3LP04MH
P.G
50Ω
S
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : MCPH3
Rg=5kΩ
ID -- VDS
--200
--180
--2.0V
--160
--140
--120
--100
--80
VGS= ^--1.5V
--60
--40
--20
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11698
RDS(on) -- VGS
10
Ta=25°C
9
8
7
6
--10mA
5
ID= --100mA
--50mA
4
3
2
1
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11700
ID -- VGS
--300
VDS= --10V
--250
--200
--150
--100
--50
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11699
RDS(on) -- Ta
7
6
5
ID= ^{--10mA, VGS= --1.5V}
4
3
ID= ^{--50mA, VGS= --2.5V}
2
ID= ^{--100mA, VGS= --4.0V}
1
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11701
No. A0551-2/4