3LP02SP Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – Ultrahigh-Speed Switching Applications

3LP02SP
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain "Miller" Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Conditions
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=–10V, f=1MHz
VDS=–10V, f=1MHz
VDS=–10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=–10V, VGS=–10V, ID=–200mA
VDS=–10V, VGS=–10V, ID=–200mA
VDS=–10V, VGS=–10V, ID=–200mA
IS=–200mA, VGS=0
Switching Time Test Circuit
0V ^VIN
--4V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
VDD= --15V
ID= --100mA
RL=150Ω
D
VOUT
G
3LP02SP
P.G
50Ω
S
Ratings
Unit
min typ max
28
pF
15
pF
5.2
pF
24
ns
75
ns
200
ns
150
ns
2
nC
0.25
nC
0.35
nC
–0.82 –1.2 V
ID -- VDS
--0.20
--0.18
--0.16
--0.14
--0.12
--0.10
--3.5V
--2.0V
--0.08
--0.06
--0.04
VGS= --1.5V
--0.02
0
0
8
7
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS – V _IT00237
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
6
5
ID= --100mA
4 _--50mA
3
2
1
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, V_GS – V _IT00239
--0.40
--0.35
--0.30
--0.25
--0.20
--0.15
--0.10
--0.05
0
0
10
7
5
ID -- VGS
VDS= --10V
--0.5 --1.0 --1.5
--2.0 --2.5
--3.0
--3.5
Gate-to-Source Voltage, VGS – V _IT00238
RDS(on) -- ID
VGS= --4V
3
Ta=75°C
25°C
2
--25°C
1.0
--0.01
2
3
5 7 _--0.1
2
3
5
Drain Current, ID – A
IT00240
No.6554-2/4