3LP01C_09 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – General-Purpose Switching Device Applications

3LP01C
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Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
VDS=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--100mA
IS=--100mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
7.5
pF
5.7
pF
1.8
pF
24
ns
55
ns
120
ns
130
ns
1.43
nC
0.18
nC
0.25
nC
--0.83
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7013A-013
2.9
0.1
3
1
0.95
2
0.4
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CP
Switching Time Test Circuit
0V ^VIN
--4V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
VDD= --15V
ID= --50mA
RL=300Ω
D
VOUT
G
3LP01C
P.G
50Ω
S
--0.10
--0.09
--0.08
--0.07
--3.5V
ID -- VDS
--2.5V
--2.0V
--0.06
--0.05
--0.04
--0.03
--0.02
VGS= --1.5V
--0.01
0
0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT00077
--0.20
VDS= --10V
--0.18
ID -- VGS
--0.16
--0.14
25°C
--0.12
--0.10
--0.08
--0.06
--0.04
--0.02
0
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT00078
No.6645-2/4