3HP04SS Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

3HP04SS
Continued from preceding page.
Parameter
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--200mA
IS=--200mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
34
ns
59
ns
435
ns
250
ns
1.6
nC
0.5
nC
0.1
nC
--0.86
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7029-003
Top View
1.4
0.25
3
12
0.2
0.1
0.45
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --100mA
RL=150Ω
D
VOUT
Rg
3HP04SS
P.G
50Ω
S
12
3
Bottom View
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : SSFP
Rg=5kΩ
ID -- VDS
--200
--180
--160
--140
--120
--100
--2.5V
--80
--60
--40
--20
0
0
VGS= --2.0V
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11209
--200
VDS= --10V
--180
ID -- VGS
--160
--140
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11210
No. A0639-2/4