3HP04S Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

3HP04S
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Parameter
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
Conditions
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--200mA
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--200mA
IS=--200mA, VGS=0V
Ratings
Unit
min
typ
max
34
ns
59
ns
435
ns
250
ns
1.6
nC
0.5
nC
0.1
nC
--0.86
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7027-004
1.6
0.4
0.8
0.4
1
2
3
0.1 MIN
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : SMCP
Switching Time Test Circuit
VIN
0V
--10V
VIN
PW=10µs
D.C.≤1%
G
VDD= --15V
ID= --100mA
RL=150Ω
D
VOUT
Rg
3HP04S
P.G
50Ω
S
Rg=5kΩ
ID -- VDS
--200
--180
--160
--140
--120
--100
--2.5V
--80
--60
--40
--20
VGS= --2.0V
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V IT11209
RDS(on) -- VGS
10
Ta=25°C
9
8
7
6
5
--100mA
4
3
ID= --50mA
2
1
0
0
--2
--4
--6
--8 --10 --12 --14 --16
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11211
--200
VDS= --10V
--180
ID -- VGS
--160
--140
--120
--100
--80
--60
--40
--20
0
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V IT11210
RDS(on) -- Ta
6
5
4
3
VGS= ^{--4V, ID= --50mA}
2
VGS= ^{--10V, ID= --100mA}
1
0
--60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
Ambient Temperature, Ta -- °C
IT11212
No. A0877-2/4