2SJ584LS Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – Ultrahigh-Speed Switching Applications

2SJ584LS
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain "Miller" Charge
Diode Forward Voltage
Marking : J584
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
VDS=–20V, f=1MHz
VDS=–20V, f=1MHz
VDS=–20V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=–100V, VGS=–10V, ID=–4.5A
VDS=–100V, VGS=–10V, ID=–4.5A
VDS=–100V, VGS=–10V, ID=–4.5A
IS=–4.5A, VGS=0
Switching Time Test Circuit
VDD= --100V
VIN
0V
--10V
PW=10µs
D.C.≤1%
VIN
G
ID= --2.5A
RL=40Ω
D
VOUT
P.G
50Ω
2SJ584LS
S
Ratings
Unit
min typ max
450
pF
120
pF
50
pF
12.5
ns
30
ns
52
ns
21
ns
22
nC
3.7
nC
11
nC
–0.9 –1.5 V
ID -- VDS
--5.0
--4.5
--7V
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--6V
--1.5
--1.0
--0.5
--5V
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Drain-to-Source Voltage, VDS – V _IT01497
RDS(on) -- VGS
2.0
Tc=25°C
1.8
ID= --2.5A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Gate-to-Source Voltage, VGS – V _IT01499
--9
VDS= --10V
--8
--7
--6
ID -- VGS
25^°C
75^°C
--5
--4
--3
--2
--1
0
0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Gate-to-Source Voltage, VGS – V _IT01498
RDS(on) -- Tc
2.5
VGS= --10V
ID= --2.5A
2.0
1.5
1.0
0.5
0
--50 --25
0
25
50
75 100 125 150
Case Temperature, Tc – ˚C
IT01500
No.6410–2/4