2SD1060 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Unisonic Technologies – NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

2SB824 / 2SD1060
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Parameter
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
hFE1
hFE2
fT
Cob
VCE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
VCE=(--)2V, IC=(--)3A
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)3A, IB=(--)0.3A
IC=(--)1mA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)1mA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
* : The 2SB824 / 2SD1060 are classified by 1A hFE as follows :
Rank
Q
R
S
hFE
70 to 140 100 to 200 140 to 280
min
70*
30
Ratings
typ
30
(160)100
(--)60
(--)50
(--)6
0.1
(0.7)1.4
0.2
max
280*
(--)0.4
Unit
MHz
pF
V
V
V
V
μs
μs
μs
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7507-001
10.2
5.1 3.6
4.5
1.3
1.2
0.8
0.4
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
tr, tf ≤15ns
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
100Ω
50Ω
RB
1Ω
+
1μF
RL
10Ω
+
1μF
VBE= --5V
VCC=20V
IC=10IB1= --10IB2=2A
For PNP, the polarity is reversed.
123
2.55
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220
IC -- VCE
--10
--8
--500mA
--450--m4A00m--A350mA----320500mmAA ^2SB824
--200mA
--150mA
--6
--100mA
--4
--50mA
--2
0
IB=0mA
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08435
IC -- VCE
10
400m3A50m3A00m2A50mA
2SD1060
200mA
8
150mA
100mA
6
50mA
4
2
0
IB=0mA
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V ITR08436
No.686-2/5