2SC5964-TD-E Datasheet, PDF (2/8 Pages) Sanyo Semicon Device – DC / DC Converter Applications

Continued from preceding page.
Parameter
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
2SA2125 / 2SC5964
Symbol
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
Conditions
When mounted on ceramic substrate (250mm²Ã—0.8mm)
Tc=25°C
Ratings
Unit
(--)3
A
(--)6
A
(--)600 mA
1.3
W
3.5
W
150
°C
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)100mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)100μA, RBE=0Ω
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20μs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
RB
RL
50Ω
+
+
100μF
470μF
VBE= --5V
VCC=25V
IC=10IB1= --10IB2=1A
For PNP, the polarity is reversed.
min
200
(--50)100
(--50)100
(--)50
(--)6
Ratings
typ
(390)380
(24)13
(--125)100
(--250)190
(--)0.94
(30)35
(230)300
(18)25
max
(--)1
(--)1
560
(--230)150
(--500)290
(--)1.2
Unit
μA
μA
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Ordering Information
Device
2SA2125-TD-E
2SA2125-TD-H
2SC5964-TD-E
2SC5964-TD-H
Package
PCP
PCP
PCP
PCP
Shipping
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
memo
Pb Free
Pb Free and Halogen Free
Pb Free
Pb Free and Halogen Free
No.7988-2/8