2SA2210 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

2SA2210
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCB=--40V, IE=0A
VEB=--4V, IC=0A
VCE=--2V, IC=--1A
VCE=--10V, IC=--1A
VCB=--10V, f=1MHz
IC=--7A, IB=--350mA
IC=--7A, IB=--350mA
IC=--100µA, IE=0A
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--100µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
min
typ
150
140
215
--200
--50
--50
--6
60
270
20
max
--10
--10
450
--500
--1.2
Unit
µA
µA
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7508-002
10.0
3.2
4.5
2.8
1.6
1.2
0.75
0.7
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
IB1
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR _RB
50Ω
+
100µF
+
470µF
OUTPUT
RL
VBE=5V
VCC= --20V
IC=20IB1= --20IB2= --7A
123
2.55
2.55
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
IC -- VCE
--20
--18
--300mA
--16
--200mA
--14
--12
--10
--400mA
--600mA ^--500mA
--100mA
--8
--6
--4
--2
0
IB=0mA
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT12019
IC -- VCE
--10
--9
--100m-A-80mA
--8
--60mA
--7
--6
--40mA
--5
--4
--160mA
--180mA
--120mA
--140mA
--20mA
--3
--2
--1
0
IB=0mA
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT12020
No. A0667-2/4