2SA2197 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

Continued from preceding page.
Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
2SA2197 / 2SC6102
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)2.5A, IB=(--)50mA
VCE=(--)2.5V, IB=(--)50mA
IC=(--)10µA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--160)125 (--240)185 mV
(--)0.84 (--)1.2
V
(--30)40
V
(--)30
V
(--)6
V
(30)30
ns
(190)320
ns
(17)14
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7515-002
8.0
2.7
3.0
4.0
1.6
0.8
0.8
0.5
0.6
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
50Ω
RB
+
100µF
RL
+
470µF
VBE= --5V
VCC=12V
20IB1= --20IB2=IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
123
2.4
4.8
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
--7
2SA2197
--6
IC -- VCE
--50mA
--40mA
--5
--30mA
--25mA
--4
--20mA
--15mA
--3
--10mA
--2
--5mA
--1
0
IB=0mA
0 --0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT11478
7
2SC6102
6
IC -- VCE
50mA ^40mA
5
4
3
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
2
5mA
1
IB=0mA
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT11479
No. A0463-2/5