2SA2196 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

Continued from preceding page.
Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
2SA2196 / 2SC6101
Symbol
Conditions
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=(--)1.5A, IB=(--)30mA
IC=(--)1.5A, IB=(--)75mA
VCE=(--)1.5V, IB=(--)30mA
IC=(--)10µA, IE=0A
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10µA, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
(--170)135 (--255)200 mV
(--)120 (--)180 mV
(--)0.85 (--)1.2
V
(--30)40
V
(--)30
V
(--)6
V
(50)30
ns
(270)300
ns
(25)15
ns
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7515-002
8.0
2.7
3.0
4.0
1.6
0.8
0.8
0.5
0.6
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
50Ω
RB
+
100µF
24Ω
+
470µF
VBE= --5V
VCC=12V
20IB1= --20IB2=IC=500mA
For PNP, the polarity is reversed.
123
2.4
4.8
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
--5.0
2SA2196
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
IC -- VCE
--50mA
--40mA
--30mA
--25mA
--20mA
--15mA
--10mA
--5mA
--1.0
--0.5
0
0
IB=0mA
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT11473
5.0
2SC6101
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
IC -- VCE
50mA
40mA
30mA
25mA
20mA
15mA
10mA
2.0
5mA
1.5
1.0
0.5
IB=0mA
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT11474
No. A0462-2/5