2SA2127 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Seme LAB – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications

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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
2SA2127
Symbol
Conditions
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--10µA, IE=0
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10µA, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
--0.2
--0.4
V
--0.9
--1.2
V
--50
V
--50
V
--6
V
35
ns
250
ns
24
ns
Package Dimensions
unit : mm
2006C
6.0
4.7
5.0
0.5
0.6
0.5
0.5
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
50Ω
+
100µF
VBE=5V
IC=10IB1= --10IB2= --0.5A
IC
OUTPUT
RL
+
470µF
VCC= --25V
123
1.45
1.45
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : MP
IC -- VCE
--2.0
--1.8
--40mA
--30mA--20mA
--1.6
--50mA
--1.4
--10mA
--1.2
--6mA
--1.0
--0.8
--4mA
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
IB=0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT07578
--2.0
VCE= --2V
--1.8
IC -- VBE
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT07579
No.8022-2/4