2SA2126 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor DC / DC Converter Applications

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Parameter
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Package Dimensions
unit : mm
2045B
2SA2126
Symbol
Conditions
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--1A, IB=--50mA
IC=--2A, IB=--100mA
IC=--2A, IB=--100mA
IC=--10µA, IE=0
IC=--100µA, RBE=0
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
min
--50
--50
--50
--6
Ratings
typ
--135
--260
--0.96
30
230
18
Package Dimensions
unit : mm
2044B
Unit
max
--270 mV
--520 mV
--1.2
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
6.5
5.0
2.3
4
0.5
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
0.6
12 3
2.3
2.3
1.2
0.5 _{1 : Base}
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
0.85
12
3
0.6
2.3
2.3
0.5
1.2
0 ‘0.2
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
IB1
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR _RB
50Ω
+
100µF
+
470µF
OUTPUT
RL
VBE=5V
VCC= --25V
--10IB1=10IB2= IC= --1A
IC -- VCE
--5.0
--4.5
--4.0
--250mA--2--0105m0mAA
--100mA
--3.5
--50mA
--3.0
--2.5
--20mA
--2.0
--10mA
--1.5
--5mA
--1.0
--0.5
0
0
IB=0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT07642
--3.0
VCE= --2V
--2.5
IC -- VBE
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT07643
No.7990-2/4