2SA2124 Datasheet, PDF (2/4 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Current Switching Applications

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Parameter
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Output Capacitance
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
2SA2124
Symbol
Conditions
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
Cob
ton
tstg
tf
IC=--10µA, IE=0
IC=--1mA, RBE=∞
IE=--10µA, IC=0
VCB=--10V, f=1MHz
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Ratings
Unit
min
typ
max
--30
V
--30
V
--6
V
17
pF
45
ns
200
ns
23
ns
Package Dimensions
unit : mm
2038B
4.5
1.6
1.5
1
2
3
0.4
0.4
0.5
1.5
3.0
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
INPUT
VR
RB
50Ω
+
220µF
VBE=5V
IC= --20IB1=20IB2= --0.5A
IC
OUTPUT
RL
+
470µF
VCC= --12V
0.75
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
IC -- VCE
--2.0
--1.8
--40mA
--25mA ^--20mA
--15mA
--1.6
--10mA
--1.4
--1.2
--1.0
--5mA
--0.8
--0.6
--2mA
--0.4
--0.2
0
0
IB=0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT07248
--2.0
VCE= --2V
--1.5
IC -- VBE
--1.0
--0.5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V IT07249
No.7920-2/4