2SA2099 Datasheet, PDF (2/5 Pages) Sanyo Semicon Device – High-Current Switching Applications

2SA2099 / 2SC5888
Continued from preceding page.
Parameter
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Conditions
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
VCE=(--)2V, IC=(--)1A
VCE=(--)5V, IC=(--)1A
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)5A, IB=(--)250mA
IC=(--)5A, IB=(--)250mA
IC=(--)100µA, IE=0
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)100µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
Switching Time Test Circuit
IB1
PW=20µs
D.C.≤1%
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
RB
RL
50Ω
+
+
100µF
470µF
VBE= --5V
IC=20IB1= --20IB2=3A
(For PNP, the polarity is reversed.)
VCC=20V
Ratings
min
typ
max
200
(560)700
(130)200
90(60)
(--250)180 (--500)360
(--)0.93 (--)1.4
(--50)60
(--)50
(--)6
(70)40
(650)1000
(60)80
Unit
MHz
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
--10
2SA2099
--9
--8
--90mA
--7
IC -- VCE
--100mA
--6
--70mA
--60mA
--50mA
--40mA
--30mA
--5
--20mA
--4
--3
--10mA
--2
--1
0
IB=0
0 --0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04794
IC -- VCE
--5.0
2SA2099
--4.5
--20mA
--18m-A-16mA
--4.0
--14mA
--12mA
--3.5
--10mA
--3.0
--8mA
--2.5
--6mA
--2.0
--4mA
--1.5
--1.0
--2mA
--0.5
0
0
IB=0
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04796
10
2SC5888
9
8
7
IC -- VCE
40mA
30mA
20mA
6
5
10mA
4
From top
3
100mA
90mA
2
80mA
70mA
1
60mA
0
IB=0 50mA
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04795
IC -- VCE
5.0
4.5
12mA
10mA
8mA
4.0
3.5
6mA
3.0
2.5
4mA
2.0
1.5
2mA
1.0
2SC5888
From top
0.5
20mA
0
IB=0 18mA
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT04797
No.7331-2/5