KMM53616000BK Datasheet, PDF (2/18 Pages) Samsung semiconductor – 16M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V

DRAM MODULE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS0
RAS0
CAS1
CAS2
RAS2
CAS3
W
A0-A11
Vcc
Vss
KMM53616000BK/BKG
CAS
DQ1
RAS
U0
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS
DQ1
RAS
U1
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS ^U2
D
RAS W A0-A11 Q
CAS
DQ1
RAS
U3
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS
DQ1
RAS
U4
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS ^U5
D
RAS W A0-A11 Q
CAS
DQ1
RAS
U6
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS
DQ1
RAS
U7
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS ^U8
D
RAS W A0-A11 Q
CAS
DQ1
RAS
U9
DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS
DQ1
RAS
U10 ^DQ2
OE
DQ3
W A0-A11 DQ4
CAS ^U11
D
RAS W A0-A11 Q
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ12
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs