KMM5324000BSW Datasheet, PDF (2/18 Pages) Samsung semiconductor – 4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V

DRAM MODULE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
KMM5324000BSW/BSWG
RAS0/RAS2
47Ω
CAS0
47Ω
CAS1
47Ω
CAS2
47Ω
CAS3
W
A0-A11
Vcc
Vss
RAS
LCAS
U0
UCAS
OE
W A0-A11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
RAS
LCAS
U1
UCAS
OE
W A0-A11
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
0.1 or 0.22uF Capacitor
for each DRAM
To all DRAMs