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ERYF_STAR Datasheet, PDF (1/4 Pages) Roithner LaserTechnik GmbH – UV-index sensor based on SiC
UV-index sensor based on SiC
EryF*
Features
• Special UV-index sensor, precision up to +/- 0.5 UVI
• Optimally suited for accurate sun-UV dosimetry
• Also suited for sun tanning bank dosimetry
• Silicon Carbide based chip for radiation hardness
• Intrinsic visible blindness due to wide-bandgap semiconductor material
• TO-18 metal package with integrated filter glass
• 0,054 mm2 active chip area
• The chip is manufactured by Cree Research Inc., U.S.A.
Eigenschaften
• Spezieller UV-Index Sensor mit einer Genauigkeit bis zu +/- 0.5 UVI
• Optimale Eignung für präzise Messung des Sonnen-UV
• Auch geeignet zur Überwachung von Solarien
• Siliziumkarbid-Chip garantiert hohe Strahlungsfestigkeit
• Inhärente Unempfindlichkeit gegenüber dem sichtbaren Licht durch das
Halbleitermaterial mit hoher Bandlücke
• TO-18 Metallgehäuse mit integriertem Filterglas
• 0,054 mm2 aktive Chipfläche
• Chiphersteller: Cree Research Inc., U.S.A.
Rev. 1.4
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